内存条的cl值有什么用 内存条cl14什么意思
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这两个内存条哪个好些啊,一个cl19一个17
这两个内存的频率相同,因此建议选择CL=17的这个内存。不是。据查百度百科,内存条时序越低超频潜力越好的,高时序内存在高频率下稳定性好,高端的内存条用比较低的时序。
内存条:英睿达(Crucial)DDR4 3600MHz 16GB(8GBX2)套条 现在美光原厂颗粒还是比较能超的,这款内存条,最新版台风查出来c9blm,超到4000MHz, 16-19-19-19-36 45V很稳。
这是对于ddr3内存而言的。时序17和19差距大吗时序17和19差距大吗这两个内存的频率相同,因此建议选择CL=17的这个内存。不是。
内存条cl16是什么意思啊?
CL16大概比CL14的存慢5%左右,CL延时是存的重要参数,是指存读写速度延迟量。
频率内存的最佳时序通常是CL16。关于内存时序,它是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD上。内存时序通常用四个数字表示,例如CL-tRCD-tRP-tRAS,其中CL(CAS延迟时间)是最关键的参数。
GB:表示该内存容量是1G\x0d\x0a\x0d\x0a2RX8:表示该内存双面颗粒,每面8块颗粒。kvr表示是金士顿经济型内存,16代表频率1600,n表示是普通型,11表示CL值为11,8是8G,SP表示窄版节能型。
内存的CL,tRCD,tRD指什么?
我来回答你的问题。你索列举的时序,每个位置的数据代表的是CL-tRCD-tRP-tRAS。CL是CAS Latency的简称,也就是内存CAS延迟时间。简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。
这个参数越小,内存性能越好,内存延迟通常采用4个数字表示,中间用,以内存延迟时间决定了内存的性能。内存时序 内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。
内存时序(英语:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。
内存条时序中最重要的参数是时钟速度和延迟。时钟速度指的是内存芯片读写操作的频率,通常以MHz为单位表示。
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。
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